Aquests dies, Samsung s'està preparant per començar la producció de la memòria flash ultraràpida UFS 2.0 NAND que té previst utilitzar en el seu futur vaixell insígnia, el Samsung. Galaxy S6. Fins ara s'utilitzava la tecnologia de memòria Flash eMMC NAND, que era capaç d'aconseguir una velocitat de transferència de 400 MB/s. Tanmateix, gràcies a la nova tecnologia UFS de segona generació, la memòria estarà als telèfons Galaxy S6 capaç d'assolir una velocitat de transferència de fins a 1.2 GB/s, és a dir, una velocitat tres vegades superior.
Això, per descomptat, es reflectirà en la transferència de fitxers grans, com ara la transferència de vídeos 4K mitjançant una connexió LTE-A. A més, en comparació amb eMMC 5.0, la tecnologia ofereix fins a un 50% menys de consum, la qual cosa té un efecte positiu en la durada de la bateria del nou telèfon. Samsung també té previst utilitzar la tecnologia a les seves targetes SD i microSD i, aparentment, ja hi està treballant dur. El principal rival xinès de Samsung, Xiaomi, també té previst utilitzar la memòria Flash UFS, i sembla que Toshima, Hynix i Micron també hi mostraran interès. A més, gràcies a la tecnologia UFS, Samsung es veurà obligada a utilitzar el port microUSB 3.0 si vol utilitzar la velocitat de transferència quan transfereix fitxers d'un ordinador a un telèfon mòbil i viceversa.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Font: ETNews
