Qualcomm ha confirmat que el seu esdeveniment Tech Summit de dos dies tindrà lloc al desembre, tal com s'ha especulat durant les últimes setmanes. Serà exactament l'1 de desembre. Tot i que la companyia no ho ha confirmat oficialment, probablement revelarà el nou xip insígnia Snapdragon 875 al públic en un esdeveniment organitzat digitalment.
Segons informes no oficials fins ara, el Snapdragon 875 serà el primer xip de 5 nm de Qualcomm. Segons sembla, tindrà un nucli de processador Cortex-X1, tres nuclis Cortex-78 i quatre nuclis Cortex-A55. Es diu que el mòdem Snapdragon X5 60G s'hi integrarà.
Et podria interessar
El xip, que hauria de ser fabricat per la divisió de semiconductors de Samsung, Samsung Foundry, serà un 10% més ràpid que el Snapdragon 865 i al voltant d'un 20% més eficient en termes de consum d'energia.
En aquest moment no està clar si Qualcomm té previst introduir més xips a l'esdeveniment. Es rumoreja que està treballant en el seu primer chipset Snapdragon 6G de 775 nm, que s'espera que sigui el successor del xip Snapdragon 765G. A més, es diu que està desenvolupant un altre xip de 5 nm i un xip de gamma baixa.
Un dels primers telèfons que funcionarà amb el Snapdragon 875 serà el model superior del següent vaixell insígnia de Samsung, segons els darrers informes anecdòtics. Galaxy S21 (S30). Altres models haurien d'utilitzar un xip del taller de Samsung o conformar-se amb el Snapdragon 865.
