Qualcomm va llançar el seu últim xip insígnia fa dos mesos Snapdragon 8 Gen2. Només un moment després va aparèixer a l'aire informace, que la propera sèrie insígnia de Samsung Galaxy S23 funcionarà especial versió d'aquest xip, i ara sembla que realment ho farà.
Web 9to5Google afirma haver vist un document en què el xip és per a la sèrie Galaxy S23 llistat amb el nom de plataforma mòbil Snapdragon 8 Gen 2 per Galaxy. Segons informació no oficial, aquesta versió del chipset insígnia actual de Qualcomm té una velocitat de rellotge lleugerament superior (concretament, se suposa que té el nucli del processador principal i el xip gràfic), cosa que en teoria hauria de conduir a un rendiment més elevat.
Galeria
El lloc web també esmenta que aquest xip es podria fabricar mitjançant el procés de 4 nm de Samsung en lloc de la tecnologia de 4 nm de TSMC. Tanmateix, això contradiu l'anecdòtic informacemi, segons el qual serà fabricat per TSMC, el màxim rival del gegant coreà en el camp dels semiconductors.
Et podria interessar
Durant més d'una dècada, Samsung ofereix la seva gamma de telèfons Galaxy Amb i (i fins al 2020 també sèrie Galaxy Nota) en dues versions: Snapdragon (per als EUA i la Xina) i Exynos (per a la resta del món). A la fila Galaxy S23, que el gegant coreà introduirà en menys de dos anys setmanes, però, serà diferent: en tots els mercats utilitzarà l'esmentada plataforma mòbil Snapdragon 8 Gen 2 per a Galaxy. Aquest moviment serà sens dubte benvingut per molts usuaris que s'han queixat del rendiment d'Exynos i de la seva eficiència energètica en el passat.
