Samsung Electronics ha presentat avui les noves unitats SSD Samsung 850 EVO, que es fabriquen amb la revolucionària tecnologia 3D V-NAND de 3 bits. Les últimes unitats del taller del líder del mercat de la memòria ofereixen un augment significatiu de rendiment i resistència en comparació amb els seus predecessors, fent-les aptes per al seu ús en ordinadors normals. Pot ser un plaer per al nostre mercat que Samsung comenci a vendre'ls ja aquest mes a 53 països d'Europa, Àsia i també als EUA.
L'empresa ja va presentar les unitats SSD Samsung 850 PRO al juliol/juliol d'aquest any, que utilitzaven la tecnologia 2D V-NAND de 3 bits, però aquestes unitats estaven destinades principalment a l'ús professional en ordinadors de gamma alta o en petits i mitjans. servidors corporatius. No obstant això, les últimes unitats 850 EVO ja són adequades per al seu ús entre els consumidors habituals, com ara ordinadors portàtils i ordinadors de jocs. Samsung diu que les unitats Samsung 850 EVO es vendran en versions de 120 GB, 250 GB, 500 GB i 1 TB. Els discs tenen una velocitat de lectura de 540 MB/s i una velocitat d'escriptura de 520 MB/s.
La versió de memòria d'1 TB també inclou la tecnologia TurboWrite, que garanteix velocitats d'escriptura aleatòries de fins a 90K IOPS, creant un emmagatzematge ràpid per a múltiples tasques i grans volums de dades. Samsung assegura que les seves noves unitats poden suportar l'escriptura de 80 GB de dades al dia durant 5 anys en models amb 1 TB i 500 GB de capacitat. La companyia finalment va revelar els seus plans de futur i té previst ampliar la sèrie 850 EVO amb nous models per als estàndards mSATA i M.2 l'any vinent.
// < 
// < 
